摘要文章具体先容了基于TRUEC2技术非隔离BUCK拓扑、源极驱动MOSFET,led驱动，来实现极高精度LED恒流控制。实验证实，全闭环TRUEC2技术实时检测实在输出电流，免受输入电压、外部电感影响，冲破性地提高了LED输出电流地精度。同时，对照开环计划，牢靠性一样有了明显进步。

1 引言

针对于LED照明负载特色，现在非隔离式地恒流驱动电源地拓扑结构基础上是BUCK降压结构，主流地方案是通过固定关断时间来固定峰值电流，从而到达固定输出电流地控制策略。本文将探讨这种控制策略实现恒流地原理，判辨这种开环控制策略地优毛病，和利用这种控制策略须要做地外围补偿，同时基于占空比半导体企业新产品DU8608芯片，介绍这种全新地闭环电流控制策略，详细介绍这种控制策略如何打破性提高LED输出电流精度，从开环到闭环是这个实质地突破,LED电源驱动。

2技术地LED恒流控制（电子工程专辑）" src="/collection/20120815102631796.jpg">图2:开环控制策略中地电感电流波形

所以，这种开环地控制策略是，衔接在Rt地电阻设定MOSFET地关断时间。每个周期开端，MOSFET 打开直到电感电流回升到峰值Vref/Rs,这时MOSFET 关断，关断时间由Rt决议。过了设定地关断时间，MOSFET 又从新翻开，这样周而复始地工作。关断时间控制了纹波电流LED 均匀电流，根据想要输出地电流值，调节CS管脚地Rs值，调节Rt值，固定每个开关周期地关断时间为1个值，从而实现了输出电流恒流。

这是1种简略有效地控制策略，但是因为这是1种开环控制模式，只能检测电感上地峰值电流，无奈检测输出电流，输出电流精度在3种情形下轻易呈现偏差

1. 输入电压稳定。(开环控制，无法反馈,LED电源，体系延时造成)

2. 批量出产电感感值偏差。（式4中，L变更引起Io变化）

3. LED负载电压不雷同（Vo）

对于于第1种偏差，只能采用电压弥补地措施，即检测输入电压，依据输入电压调剂内部CS参考电平值，然而后果个别，对第2种和第3种偏差，比拟难解决。

1种全新地全闭环控制策略能够完整防止上述多少种偏差，从基本上实现真正地LED恒流。

2 原理与设计

2.1 现在LED非隔离恒流驱动电流范畴主流地控制策略

像图1所示，电路是BUCK降压构造，芯片掌握地是MOSFET地源极，这是1种开环地恒流电流节制方法,led驱动芯片，把持原理像下

当MOSFET开明时，电流从DCBUS通过LED负载，流过电感，流入地。

Vi-Vo=Ldi/dt=L*Ir/DT (1)

当MOSFET关断时，电感电流从D1续流。得出以下公式

Vo=Ldi/dt=L*Ir/(1-D)T (2)

类似图2 ，Io(average)=Ipk-1/2*Ir (3)

由（2）跟（3）

Io=Vref/Rs-Vo*(1-D)T/(2*L) (4)

Vref和Rcs都是设定地定值，因为电流流过LED负载，假如电流固定,led 驱动ic，可以以为LED地电压Vo是固定地，所以从式（4）看出，只有电感值L固定，再固定关断时光(1-D)T， Io也就是固定。

2技巧地LED恒流控制（电子工程专辑）" src="/collection/20120815102630569.jpg">图1:非隔离降压恒流LED驱动电源示用意