未来5年氮化镓衬底将引领LED衬底潮流

在当今日美垄断led芯片核心技术的格局下，中国led企业如何攻破格局，实现技巧攻坚，促进led发展显得尤为重卤素灯要。目前，led衬底类别包括蓝宝石、碳化硅、硅以及被称为第三代半导体资料的氮化镓。
与传统衬底材料比较，氮化镓具备禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱跟漂移速度高、抗辐射才干强跟良好的化学牢固性等优越特点，是迄今实际上电光、光电转换效率最高的资料体系。时至本日，氮化镓衬底绝对蓝宝石、碳化计数器硅等衬底的性能优势不问可知，最大艰苦在于价格过高。
厚膜的衬底产品方面：产品有10～50微米的不同规格，常用的是20～30微米。位错密度在107cm～3量级，根据不同的技能参数可分为两种即n型掺杂与半绝缘。n型掺杂主要运用于led等光电器件，半绝缘主要利用于电力电子、微波器件上。
自支持氮化镓衬底方面：位错密度在105cm-3量级，根据不同的技巧参数分为三种，即n型掺杂、半绝缘与非掺杂。n型六反相器氮化镓，重要应用于led、激光器方面半绝缘则应用于高功率微波器件或大电流高电压的开关上。非掺杂即高纯度氮化镓，在探测器上的运用较为广泛，恳求材料的电子浓度越低越好。纳维非掺杂氮化镓产品，x射线半峰宽为50秒、半峰宽为80秒左右，块体材料的电子迁徙率超过1计算机电缆500cmv-1s-1，处于国际前列水平。纳维是国际上可能生产销售氮化镓自支撑晶片的少数多少个单位之一。
hvpe法成长gan自支撑衬底
hvpe主要是金属镓、氯化氢、氨气，金属镓和氯化氢发生反应，生成氯化镓，氯化镓在200℃后变成气体，以这个为原材料，进而通过在衬底名义上与氨气反应变成氮化镓。hvpe这种生成方法，在名义的化学饱跟度非常高，因此，其成长速度无比快，比mocvd的成长速度快50～100倍光传感器，它一个小时能够成长200～300个微米，可以在短时间内把这个材料变成高品德的氮化镓，这是它的一个特点。
未来5年，氮化镓的价格将下降10～20倍，4～6寸进入市场
当初led盛行的风潮下，氮化镓作为半导体发光二极管应用于led照明也已经在中国发展得风起云涌。氮化镓衬底上的同质外延与蓝宝石衬底上的异质外延，单从技能角度上讲，异质外延毛病密度比同质外延的氮化镓高出2～3个数量级氮化镓存在导电的特点，能够做成垂直结构的芯片，这样，外延片的利用面积比蓝宝石的提高1.5倍做成垂直结构之后，氮化镓上电流密度可能很高，冀望一个氮化镓衬底上的芯片可以抵十个蓝宝石衬底上的芯片。美国的sorra跟日本的ngk已经开始大力开发这类芯片，并取得主要冲破，达到同样亮度，氮化镓衬底上制作的led能耗比传统芯片低一半以上。